(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные G800N06H
Изображение служит лишь для справки
G800N06H
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-261-4, TO-261AA
- N60V, 3A,RD<80M@10V,VTH0.7V~1.2V
Date Sheet
Lagernummer 2324
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-261-4, TO-261AA
- Поставщик упаковки устройства：SOT-223
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：3A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：1.2W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：80mOhm @ 3A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.2V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：457 pF @ 30 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 2324
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
