
Изображение служит лишь для справки






2SK3666-2-TB-E
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - JFET
- TO-236-3
- JFET N-CH 10MA 200MW CP
Date Sheet
Lagernummer 12000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Срок поставки от производителя:6 Weeks
- Корпус / Кейс:TO-236-3
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество контактов:3
- Количество элементов:1
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2005
- Код JESD-609:e6
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Максимальная рабочая температура:150°C
- Минимальная температура работы:-55°C
- Максимальная потеря мощности:200mW
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Число контактов:3
- Конфигурация элемента:Single
- Режим работы:DEPLETION MODE
- Распад мощности:200mW
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Напряжение стока-исток (Vdss):30V
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID):10mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):-30V
- Максимальный сливовой ток (ID):0.01A
- Напряжение пробоя стока к истоку:30V
- Входной ёмкости:4pF
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):JUNCTION
- Сопротивление стока к истоку:200Ohm
- Высота:1.1mm
- Длина:2.9mm
- Ширина:1.5mm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 12000
Итого $0.00000