(0)
Изображение служит лишь для справки
MRF221
-
Advanced
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - РЧ
- 211-07
- RF Bipolar Transistors RF Transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：211-07
- Поверхностный монтаж：NO
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：4 V
- Распад мощности：31 W
- Полярность транзистора：NPN
- Максимальная рабочая температура：+ 200 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：5
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Монтажные варианты：Screw Mount
- Производитель：Advanced Semiconductor, Inc.
- Бренд：Advanced Semiconductor, Inc.
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：18 V
- Описание пакета：,
- Температура работы-Макс：175 °C
- Траниционный частотный предел (fT)：175 MHz
- Артикул Производителя：MRF221
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ASI SEMICONDUCTOR INC
- Ранг риска：5.6
- Пакетирование：Tray
- Тип：RF Bipolar Power
- Подкатегория：Transistors
- Технология：Si
- Код соответствия REACH：unknown
- Частота работы：175 MHz
- Конфигурация：Single
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип продукта：RF Bipolar Transistors
- Тип транзистора：Bipolar Power
- Максимальная потеря мощности (абс.)：31 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：2.5 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：5
- Прямоходящий ток коллектора：2.5 A
- Категория продукта：RF Bipolar Transistors
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
