(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные G08P06D3
Изображение служит лишь для справки
G08P06D3
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerVDFN
- P-Channel Trench MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 15020
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
- Поставщик упаковки устройства：8-DFN (3.15x3.05)
- Пакет：Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：8A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Goford Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：40W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：52mOhm @ 6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2972 pF @ 30 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：25 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 15020
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
