(0)
Изображение служит лишь для справки
CM1200HC-50H
-
Power Integrations
-
Неклассифицированные
- -
- POWER IGBT TRANSISTOR
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：9
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Yes
- Монтаж：PCB
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：CM1200HC-50H
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Mitsubishi Electric
- Количество элементов：3
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MITSUBISHI ELECTRIC CORP
- Ранг риска：5.27
- Код упаковки компонента：MODULE
- Серия：Printed Circuit
- Безоловая кодировка：No
- Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
- Шаг：7,5 mm
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：9
- Код JESD-30：R-XUFM-X9
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：COMPLEX
- Замечание：-
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.)：14700 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：1200 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：2500 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：3.64 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
