(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BUK768R1-40E118
Изображение служит лишь для справки
BUK768R1-40E118
-
NXP
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Now Nexperia BUK768R1-100E - Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 1 week ago)
- Монтаж：Surface Mount
- Напряжение, классификация：150 V
- РХОС：Compliant
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Допуск：1 %
- Количество выводов：2
- Завершение：Solder
- Коэффициент температурной зависимости：100 ppm/°C
- Сопротивление：39.2 kΩ
- Максимальная рабочая температура：125 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Состав：Power resistor, Thick Film
- Мощность рейтинга：330 mW
- Максимальная потеря мощности：333 mW
- Код корпуса (метрический)：2012
- Код корпуса (имперский)：0805
- ELV：Compliant
- Количество резисторов：1
- Ширина：1.25 mm
- Высота：550 µm
- Длина：2 mm
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
