(0)
Изображение служит лишь для справки
BLF647
-
NXP
-
Неклассифицированные
- -
- Trans RF MOSFET N-CH 65V 18A 5-Pin LDMOST
Date Sheet
Lagernummer 115
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：200 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BLF647
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：NXP Semiconductors
- Количество элементов：2
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：NXP SEMICONDUCTORS
- Ранг риска：5.6
- Максимальный ток утечки (ID)：18 A
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-CDFM-F4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：18 A
- Минимальная напряжённость разрушения：65 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：290 W
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
Со склада 115
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
