(0)
Изображение служит лишь для справки
BSZ033N03LSCG
-
Infineon
-
Неклассифицированные
- -
- MOSFET N-Ch 30V
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Состояние продукта：Active
- Mfr：Glenair
- Пакет：Retail Package
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.82
- Максимальный ток утечки (ID)：20 A
- Описание пакета：GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BSZ033N03LSCG
- Форма упаковки：SQUARE
- Серия：*
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：8
- Код JESD-30：S-PDSO-N5
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：50 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0045 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：200 A
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：150 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：69 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
