BSS84DWQ-13-F

Name: Diodes BSS84DWQ-13-F
Brand: Diodes
Rating: 4.7 (10 reviews)

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：4-SMD, No Lead
Поверхностный монтаж：YES
Количество терминалов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Пакет：Bulk
Mfr：Suntsu Electronics, Inc.
Состояние продукта：Active
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Уровни чувствительности к влажности：1
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Максимальная температура рефлоу：40
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：BSS84DWQ-13-F
Форма упаковки：RECTANGULAR
Производитель：Diodes Incorporated
Количество элементов：2
Код цикла жизни компонента：Obsolete
Производитель IHS：DIODES INC
Ранг риска：5.01
Максимальный ток утечки (ID)：0.13 A
Рабочая температура：-10°C ~ 70°C
Серия：SXT324
Размер / Размерность：0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：Yes
Тип：MHz Crystal
Конечная обработка контакта：MATTE TIN
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Код соответствия REACH：unknown
Частота：44 MHz
Частотная стабильность：±50ppm
Код JESD-30：R-PDSO-G6
ЭСР (Эквивалентное последовательное сопротивление)：40 Ohms
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Емкость нагрузки：10pF
Режим работы：Fundamental
Допустимая частотная неопределенность：±15ppm
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
Сопротивление открытого канала-макс：10 Ω
Минимальная напряжённость разрушения：50 V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：12 pF
Высота сидения (макс.)：0.031 (0.80mm)
Оценки：-

Со склада 0

Итого $0.00000