(0)
Изображение служит лишь для справки
MMFT1N10E
-
ON Semiconductor
-
Неклассифицированные
- -
- 1000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-261AA
Date Sheet
Lagernummer 2000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：MMFT1N10E
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Motorola Semiconductor Products
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Производитель IHS：MOTOROLA INC
- Ранг риска：7.95
- Максимальный ток утечки (ID)：1 A
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Код ТН ВЭД：8541.21.00.95
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PDSO-G4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-261AA
- Максимальный сливовой ток (ID)：1 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.25 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.8 W
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：0.8 W
Со склада 2000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
