(0)
Изображение служит лишь для справки
HZK12CTR-E
-
Renesas
-
Неклассифицированные
- DO-203AA, DO-4, Stud
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Stud Mount
- Корпус / Кейс：DO-203AA, DO-4, Stud
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：DO-203AA (DO-4)
- Материал диодного элемента：SILICON
- Количество терминалов：2
- Пакет：Bulk
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：O-LELF-R2
- Форма упаковки：LONG FORM
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：GLASS
- Максимальная температура рефлоу：20
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：HZK12CTR-E
- Максимальная мощность рассеяния：0.5 W
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：Renesas Electronics Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：RENESAS ELECTRONICS CORP
- Ранг риска：8.25
- Серия：Military, MIL-PRF-19500/260
- Код JESD-609：e6
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Код ТН ВЭД：8541.10.00.50
- Технология：Standard
- Положение терминала：END
- Форма вывода：WRAP AROUND
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：O-LELF-R2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Направленность：UNIDIRECTIONAL
- Конфигурация：SINGLE
- Скорость：Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Тип диода：ZENER DIODE
- Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr：5 µA @ 200 V
- Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If：2.2 V @ 10 A
- Сокетная связка：ISOLATED
- Температура работы - переходная：-65°C ~ 150°C
- Максимальное обратное напряжение (Вр)：200 V
- Тестовая рабочая токовая струя：5 mA
- Емкость @ Vr, Ф：-
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
