(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMZB790SN，315
Изображение служит лишь для справки
PMZB790SN，315
-
NXP
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SC-101, SOT-883
- MOSFET N-CH 60V 650MA DFN1006B-3
Date Sheet
Lagernummer 135004
- 1+： $0.10231
- 10+： $0.09652
- 100+： $0.09106
- 500+： $0.08591
- 1000+： $0.08104
Zwischensummenbetrag $0.10231
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-101, SOT-883
- Поставщик упаковки устройства：DFN1006B-3
- Соединения：Open end cable
- Артикул производителя：756-1503/060-050
- Количество контактов：5
- Номинальный ток：4A
- Номинальное напряжение：60V
- Сторона подключения A：Cable, open end
- Тип герметизации：Screw-on
- Минимальная температура：-30°C
- Содержимое：1pc(s)
- Стандартный разъём：Bus connector
- Максимальная температура：+85°C
- Номинальный ток - округленное значение：4A
- Сторона подключения B：M12 plug, straight
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：650mA (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：NXP USA Inc.
- Максимальная мощность рассеяния：360mW (Ta), 2.7W (Tc)
- Состояние продукта：Obsolete
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Тип：WAGO
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：940mOhm @ 300mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：35 pF @ 30 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.37 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Характеристика ТРП：-
- Характеристики：Halogen-free,Hydrolysis-resistant,Oil-resistant,UV-resistant,Suitable for drag chains
Со склада 135004
- 1+： $0.10231
- 10+： $0.09652
- 100+： $0.09106
- 500+： $0.08591
- 1000+： $0.08104
Итого $0.10231
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
