(0)
Изображение служит лишь для справки
JANTX2N3467
-
Microchip
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- Radial
- Bipolar Transistors - BJT Power BJT
Date Sheet
Lagernummer 2394
- 1+： $258.12790
- 10+： $243.51689
- 100+： $229.73291
- 500+： $216.72916
- 1000+： $204.46148
Zwischensummenbetrag $258.12790
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：Radial
- Монтаж：Through Hole
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-39
- Материал диэлектрика：Polypropylene (PP), Metallized
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：--
- Номинальное напряжение DC：850V
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
- Распад мощности：5 W
- Полярность транзистора：PNP
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：40 at 1 A, 5 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：Through Hole
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：500 MHz
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip / Microsemi
- Максимальный постоянный ток сбора：1 A
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE：120 at 500 mA, 1 V
- РХОС：N
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：40 V
- Расписание В：8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080, 8541290080
- Диэлектрический пробой напряжение：40 V
- Количество элементов：1
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：1 A
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-55°C ~ 110°C
- Серия：MKP385
- Пакетирование：Bulk
- Размер / Размерность：0.492 L x 0.157 W (12.50mm x 4.00mm)
- Допуск：±5%
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：--
- Завершение：PC Pins
- Максимальная рабочая температура：175 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Применение：DC Link, DC Filtering; High Frequency, Switching; High Pulse, DV/DT
- Капацитивность：5600pF
- Подкатегория：Transistors
- Максимальная потеря мощности：1 W
- Технология：Si
- Направленность：PNP
- Расстояние между выводами：0.394 (10.00mm)
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：1 W
- Мощность - Макс：1 W
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors
- Тип транзистора：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：40 V
- Максимальный ток сбора：1 A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：40 @ 500mA, 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.2V @ 100mA, 1A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：40 V
- Частота - Переход：-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：40 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：5 V
- Характеристики：--
- Категория продукта：Bipolar Transistors - BJT
- Высота сидения (макс.)：0.394 (10.00mm)
- Корпусировка на излучение：No
- Оценки：--
Со склада 2394
- 1+： $258.12790
- 10+： $243.51689
- 100+： $229.73291
- 500+： $216.72916
- 1000+： $204.46148
Итого $258.12790
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
