(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRLR3114ZPBF
Изображение служит лишь для справки
IRLR3114ZPBF
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- Coin, Stacked Vertical
- MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：Coin, Stacked Vertical
- Поставщик упаковки устройства：D-Pak
- Состояние без свинца / Состояние по RoHS：--
- Номинальное напряжение：2.8V
- Срок жизни @ Темп：1000 Hrs @ 85°C
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：42A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：International Rectifier
- Максимальная мощность рассеяния：140W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Рабочая температура：-20°C ~ 70°C
- Серия：ENYCAP™ 196HVC
- Пакетирование：Tray
- Размер / Размерность：0.276 Dia (7.00mm)
- Допуск：-20%, +80%
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：--
- Завершение：PC Pins
- Капацитивность：4F
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- ЭСР (Эквивалентное последовательное сопротивление)：5 Ohm @ 1kHz
- Расстояние между выводами：0.295 (7.50mm)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：4.9mOhm @ 42A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 100µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：3810 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：56 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：40 V
- Угол настройки (макс.)：±16V
- Характеристика ТРП：-
- Высота сидения (макс.)：0.197 (5.00mm)
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
