(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT30M40JVFR
Изображение служит лишь для справки
APT30M40JVFR
-
Microchip
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- Axial
- MOSFET N-CH 300V 70A ISOTOP
Date Sheet
Lagernummer 8
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Корпус / Кейс：Axial
- Вид крепления：Chassis Mount
- Монтаж：Chassis Mount, Screw
- Количество контактов：4
- Поставщик упаковки устройства：Axial
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：APT30M40
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：70A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния：450W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Количество элементов：1
- Номинальное напряжение (постоянное)：300 V
- РХОС：Compliant
- Время отключения：48 ns
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：300 V
- Время типичного задержки включения：16 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
- Распад мощности：450 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Вес единицы：1.058219 oz
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1
- Монтажные варианты：Screw Mounts
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip Technology
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：40 mOhms
- Время задержки отключения типичного：48 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：70 A
- Рабочая температура：-65°C ~ 175°C
- Серия：Military, MIL-R-10509/2, RN65
- Пакетирование：Bulk
- Размер / Размерность：0.180 Dia x 0.562 L (4.57mm x 14.27mm)
- Допуск：±1%
- Состояние изделия：Active
- Количество выводов：2
- Коэффициент температурной зависимости：±100ppm/°C
- Тип：Power MOSFET
- Сопротивление：71.5 kOhms
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Состав：Metal Film
- Мощность (ватт)：0.5W, 1/2W
- Подкатегория：Discrete Semiconductor Modules
- Максимальная потеря мощности：450 W
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Моментальный ток：70 A
- Срок службы：--
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：450 W
- Время задержки включения：16 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：40mOhm @ 500mA, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 2.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：10200 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：425 nC @ 10 V
- Время подъема：20 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：300 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Тип продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Непрерывный ток стока (ID)：70 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30 V
- Входной ёмкости：10.2 nF
- Характеристика ТРП：-
- Rds на макс.：40 mΩ
- Продукт：Power MOSFET Modules
- Характеристики：Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety
- Категория продукта：Discrete Semiconductor Modules
- Высота сидения (макс.)：--
- Без свинца：Lead Free
Со склада 8
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
