(0)
Изображение служит лишь для справки
JANTX2N3741
-
Microchip
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные
- 4-SMD, No Lead
- Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-66
Date Sheet
Lagernummer 107
- 1+： $18.42911
- 10+： $17.38596
- 100+： $16.40185
- 500+： $15.47344
- 1000+： $14.59758
Zwischensummenbetrag $18.42911
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：4-SMD, No Lead
- Монтаж：Through Hole
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-66 (TO-213AA)
- Полярность транзистора：PNP
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：4 A
- Основной номер продукта：2N3741
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Количество элементов：1
- РХОС：Non-Compliant
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：7 V
- Распад мощности：25 W
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：80 V
- Максимальный постоянный ток сбора：4 A
- Параметр частотно-уровневого продукта fT：-
- Монтажные варианты：Through Hole
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：30 at 250 mA, 1 VDC
- Максимальная рабочая температура：+ 200 C
- Рабочая температура：-40°C ~ 85°C
- Серия：SiT8208
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Размер / Размерность：0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)
- Состояние изделия：Active
- Тип：XO (Standard)
- Максимальная рабочая температура：200 °C
- Минимальная температура работы：-65 °C
- Максимальная потеря мощности：25 W
- Технология：Si
- Напряжение - Питание：3.3V
- Частота：66.66MHz
- Частотная стабильность：±10ppm
- Выход：LVCMOS, LVTTL
- Функция：Standby (Power Down)
- Базовый резонатор：MEMS
- Ток - Питание (Макс.)：33mA
- Направленность：PNP
- Ток - Подача (Отключить) (Макс.)：70µA
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：25
- Мощность - Макс：25 W
- Тип транзистора：PNP
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：80 V
- Максимальный ток сбора：4 A
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 250mA, 1V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：10µA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：600mV @ 125mA, 1A
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：80 V
- Частота - Переход：-
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)：80 V
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：7 V
- Абсолютный диапазон подтяжки (АДП)：--
- Прямоходящий ток коллектора：4
- Высота сидения (макс.)：0.039 (1.00mm)
- Корпусировка на излучение：No
- Оценки：--
Со склада 107
- 1+： $18.42911
- 10+： $17.38596
- 100+： $16.40185
- 500+： $15.47344
- 1000+： $14.59758
Итого $18.42911
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
