(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RJK03M7DPA-00#J5A
Изображение служит лишь для справки
RJK03M7DPA-00#J5A
-
Renesas
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-WFDFN Exposed Pad
- Mosfet N-ch 30V 30A Wpak
Date Sheet
Lagernummer 3000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-WFDFN Exposed Pad
- Поставщик упаковки устройства：8-WPAK
- РХОС：Compliant
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：30A (Ta)
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Максимальная мощность рассеяния：25W (Tc)
- Состояние продукта：Obsolete
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Серия：-
- Максимальная потеря мощности：25 W
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：9.6mOhm @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：-
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1120 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6.6 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Непрерывный ток стока (ID)：30 A
- Входной ёмкости：1.12 nF
- Характеристика ТРП：-
- Rds на макс.：9.6 mΩ
- Без свинца：Lead Free
Со склада 3000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
