Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 0

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:8
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Безгалогенный:Yes
  • Соответствует директиве RoHS:Yes
  • Артикул производителя:L01021B0018
  • Максимальный диапазон температур (гибкая установка):+200°C
  • Пакет:No
  • Максимальный температурный диапазон (стационарная установка):+200°C
  • Максимальная длина, продающаяся по метру:100m
  • Содержимое:Sold per metre
  • Электрическая ёмкость на метр:79pF
  • Продается на метр:Yes
  • Характеристики кабеля:Braided shield,Metal foil shield,rigid core
  • Внешний диаметр:5.70mm
  • Фабричная расцветка:Black
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:UPA1721G-A
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Производитель:Renesas Electronics Corporation
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Obsolete
  • Производитель IHS:RENESAS ELECTRONICS CORP
  • Максимальный ток утечки (ID):10 A
  • Код упаковки компонента:SOT
  • Ранг риска:5.21
  • Код JESD-609:e6
  • Код ECCN:EAR99
  • Тип:L01021B0018
  • Конечная обработка контакта:Tin/Bismuth (Sn98Bi2)
  • Подкатегория:FET General Purpose Power
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Число контактов:8
  • Код JESD-30:R-PDSO-G8
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Импеданс:50Ω
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Максимальный сливовой ток (ID):10 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.017 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:40 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:30 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):2 W

Со склада 0

Итого $0.00000