(0)
Изображение служит лишь для справки
FGB3236-F085
-
Fairchild
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- 4-SMD, No Lead
- IGBT, 360V, 27A, ECOSPARK II, N-
Date Sheet
Lagernummer 341
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：1 Week
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：4-SMD, No Lead
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：D2PAK (TO-263)
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Strip
- Mfr：SiTime
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：44 A
- Условия испытания：300V, 1kOhm, 5V
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Время включения (тон)：2350 ns
- Код упаковки производителя：TO263A02
- Время отключения (toff)：7040 ns
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：FGB3236_F085
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：ON Semiconductor
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ON SEMICONDUCTOR
- Время подъема макс：7000 ns
- Ранг риска：5.12
- Рабочая температура：-40°C ~ 85°C
- Серия：SiT8208
- Размер / Размерность：0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Тип：XO (Standard)
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Подкатегория：Insulated Gate BIP Transistors
- Напряжение - Питание：1.8V
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Частота：12 MHz
- Частотная стабильность：±20ppm
- Выход：LVCMOS, LVTTL
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Функция：Standby (Power Down)
- Базовый резонатор：MEMS
- Ток - Питание (Макс.)：31mA
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Название бренда：ON Semiconductor
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Ширина спектра разброса：-
- Входной тип：Logic
- Мощность - Макс：187 W
- Применение транзистора：AUTOMOTIVE IGNITION
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-263AB
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：360 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：187 W
- Абсолютный диапазон подтяжки (АДП)：-
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.4V @ 4V, 6A
- Максимальный ток коллектора (IC)：44 A
- Тип ИGBT：-
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：350 V
- Зарядная мощность：20 nC
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：-/5.4µs
- Переключаемый энергопотребление：-
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：12 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：2.2 V
- Время падения максимальное (tf)：15000 ns
- Высота сидения (макс.)：0.031 (0.80mm)
- Оценки：-
Со склада 341
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
