(0)
Изображение служит лишь для справки
STGB50H65FB2
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 50A 3-Pin D2PAK T/R
Date Sheet
Lagernummer 277
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик упаковки устройства：D²PAK (TO-263)
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：86 A
- Основной номер продукта：STGB50
- Mfr：STMicroelectronics
- Состояние продукта：Active
- Условия испытания：400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：±20V
- Формат упаковки：D2PAK (TO-263)
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：650 V
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Пакетная партия производителя：1000
- Производитель：STMicroelectronics
- Бренд：STMicroelectronics
- РХОС：Details
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：-
- Пакетирование：Reel
- Подкатегория：IGBTs
- Число контактов：3
- Распад мощности：272
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：272 W
- Тип продукта：IGBT Transistors
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：650 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2V @ 15V, 50A
- Прямоходящий ток коллектора：86
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：151 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：150 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：28ns/115ns
- Переключаемый энергопотребление：910µJ (on), 580µJ (off)
- Категория продукта：IGBT Transistors
Со склада 277
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
