MBD770DWT1G

Name: ON Semiconductor MBD770DWT1G
Brand: ON Semiconductor
Price: 0.182947 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (19 reviews)

ON Semiconductor
Диоды - РЧ
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Schottky Diodes & Rectifiers 70V 120mW Dual Isolated
Date Sheet

Lagernummer 2942

1+： $0.18295
10+： $0.17259
100+： $0.16282
500+： $0.15361
1000+： $0.14491

Zwischensummenbetrag $0.18295

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
Срок поставки от производителя：2 Weeks
Корпус / Кейс：6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：6
Материал диодного элемента：SILICON
Количество элементов：2
Максимальная мощность рассеяния：380mW
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：70V
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：90mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Основной номер части：MBD770
Число контактов：6
Нормативная Марка：AEC-Q101
Максимальная допустимая токовая нагрузка：100mA
Конфигурация элемента：Dual
Тип диода：Schottky - 2 Independent
Распад мощности：120mW
Напряжённая мощность：100mA
Максимальный обратный ток утечки：200nA
Без галогенов：Halogen Free
Напряжение включения：1V
Пиковая обратная токовая сила：200nA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)：70V
Емкость @ Vr, Ф：1pF @ 20V 1MHz
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)：1A
Диапазон частот：ULTRA HIGH FREQUENCY
Максимальная емкость диода：1pF
Высота：1mm
Длина：2.2mm
Ширина：1.35mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 2942

1+： $0.18295
10+： $0.17259
100+： $0.16282
500+： $0.15361
1000+： $0.14491

Итого $0.18295