(0)
Изображение служит лишь для справки
IRFR320B
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：DPAK-3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：IRFR320B
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Fairchild Semiconductor Corporation
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
- Ранг риска：5.12
- Код упаковки компонента：TO-252
- Максимальный ток утечки (ID)：3.1 A
- Код JESD-609：e0
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-252
- Максимальный сливовой ток (ID)：3.1 A
- Сопротивление открытого канала-макс：1.75 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：12.4 A
- Минимальная напряжённость разрушения：400 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：240 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：41 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
