(0)
Изображение служит лишь для справки
RGWX5TS65DGC11
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247N-3
- Transistor IGBT N-CH 650V 132A 3-Pin TO-247N Bulk
Date Sheet
Lagernummer 462
- 1+： $6.98004
- 10+： $6.58494
- 100+： $6.21221
- 500+： $5.86057
- 1000+： $5.52884
Zwischensummenbetrag $6.98004
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-247N-3
- Вид крепления：Through Hole
- Поставщик упаковки устройства：TO-247N
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 30 V, + 30 V
- Распад мощности：348 W
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Пакетная партия производителя：450
- Монтажные варианты：Through Hole
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：650 V
- Пакет：Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：132 A
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Условия испытания：400V, 75A, 10Ohm, 15V
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：-
- Подкатегория：IGBTs
- Технология：Si
- Конфигурация：Single
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：348 W
- Тип продукта：IGBT Transistors
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：650 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.9V @ 15V, 75A
- Прямоходящий ток коллектора：132
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：213 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：300 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：64ns/229ns
- Переключаемый энергопотребление：2.39mJ (on), 1.68mJ (off)
- Время обратной рекомпенсации (trr)：101 ns
- Категория продукта：IGBT Transistors
Со склада 462
- 1+： $6.98004
- 10+： $6.58494
- 100+： $6.21221
- 500+： $5.86057
- 1000+： $5.52884
Итого $6.98004
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
