(0)
Изображение служит лишь для справки
APT35GA90BD15
-
Microchip
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- TO-247-3
- Trans IGBT Chip N-CH 900V 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Date Sheet
Lagernummer 14
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：TO-247 [B]
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Пакет：Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：63 A
- Основной номер продукта：APT35GA90
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Условия испытания：600V, 18A, 10Ohm, 15V
- Пакетная партия производителя：1
- Производитель：Microchip
- Бренд：Microchip Technology
- РХОС：Details
- Описание пакета：ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Время включения (тон)：18 ns
- Время отключения (toff)：281 ns
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：APT35GA90BD15
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Ранг риска：2.2
- Код упаковки компонента：TO-247AD
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Пакетирование：Tube
- Код JESD-609：e1
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS
- Подкатегория：IGBTs
- Технология：Si
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Распад мощности：290
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：290 W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Тип продукта：IGBT Transistors
- Код JEDEC-95：TO-247AD
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：900 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.1V @ 15V, 18A
- Максимальный ток коллектора (IC)：63 A
- Прямоходящий ток коллектора：63
- Тип ИGBT：PT
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：900 V
- Зарядная мощность：84 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：105 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：12ns/104ns
- Переключаемый энергопотребление：642µJ (on), 382µJ (off)
- Категория продукта：IGBT Transistors
Со склада 14
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
