(0)
Изображение служит лишь для справки
STGSB200M65DF2AG
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- 1152-BBGA, FCBGA
- DISCRETE
Date Sheet
Lagernummer 142
- 1+： $15.47865
- 10+： $14.60250
- 100+： $13.77594
- 500+： $12.99617
- 1000+： $12.26054
Zwischensummenbetrag $15.47865
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：1152-BBGA, FCBGA
- Поставщик упаковки устройства：1152-FBGA (35x35)
- Количество портов ввода/вывода：552
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：216 A
- Основной номер продукта：STGSB200
- Mfr：STMicroelectronics
- Состояние продукта：Active
- Условия испытания：400V, 200A, 4.7Ohm, 15V
- Квалификация：AEC-Q100
- Пакетная партия производителя：200
- Производитель：STMicroelectronics
- Бренд：STMicroelectronics
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：- 20 V, + 20 V
- Рабочая температура：-40°C ~ 100°C (TJ)
- Серия：Stratix® V GS
- Состояние изделия：Active
- Подкатегория：IGBTs
- Напряжение - Питание：0.82 V ~ 0.88 V
- Основной номер части：5SGSMD5
- Распад мощности：714
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：714 W
- Число логических элементов/ячейки：457000
- Тип продукта：IGBT Transistors
- Общий объем ОЗУ бит：46769152
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：650 V
- Количество ЛАБ/КЛБ：172600
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.05V @ 15V, 200A
- Прямоходящий ток коллектора：216
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Зарядная мощность：554 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：700 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：122ns/250ns
- Переключаемый энергопотребление：3.82mJ (on), 6.97mJ (off)
- Время обратной рекомпенсации (trr)：174.5 ns
- Категория продукта：IGBT Transistors
Со склада 142
- 1+： $15.47865
- 10+： $14.60250
- 100+： $13.77594
- 500+： $12.99617
- 1000+： $12.26054
Итого $15.47865
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
