Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

APT50GP60B2DQ2G

Lagernummer 40

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-247-3 Variant
  • Пакет:Tube
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):150 A
  • Основной номер продукта:APT50GP60
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Условия испытания:400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
  • Пакетная партия производителя:1
  • Производитель:Microchip
  • Бренд:Microchip Technology
  • РХОС:Details
  • Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:- 20 V, + 20 V
  • Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Серия:POWER MOS 7®
  • Пакетирование:Tube
  • Подкатегория:IGBTs
  • Технология:Si
  • Входной тип:Standard
  • Мощность - Макс:625 W
  • Тип продукта:IGBT Transistors
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):600 V
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.7V @ 15V, 50A
  • Тип ИGBT:PT
  • Зарядная мощность:165 nC
  • Ток-эmitter импульсированный (Icm):190 A
  • Тд (вкл/выкл) @ 25°C:19ns/85ns
  • Переключаемый энергопотребление:465µJ (on), 635µJ (off)
  • Категория продукта:IGBT Transistors

Со склада 40

Итого $0.00000