(0)
Изображение служит лишь для справки
JANTXV1N5655A
-
Microsemi
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- ESD Suppressors / TVS Diodes Transient Voltage Suppresso
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал диодного элемента：SILICON
- Количество терминалов：2
- Артикул Производителя：JANTXV1N5655A
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Код упаковки компонента：DO-13
- Описание пакета：O-MALF-W2
- Ранг риска：1.74
- Количество элементов：1
- Материал корпуса пакета：METAL
- Форма упаковки：ROUND
- Форма упаковки：LONG FORM
- Максимальная мощность рассеяния：1 W
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД：8541.10.00.50
- Положение терминала：AXIAL
- Форма вывода：WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Число контактов：2
- Нормативная Марка：MIL-19500
- Код JESD-30：O-MALF-W2
- Квалификационный Статус：Qualified
- Направленность：UNIDIRECTIONAL
- Конфигурация：SINGLE
- Тип диода：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
- Сокетная связка：CATHODE
- Максимальное обратное напряжение：70.1 V
- Код JEDEC-95：DO-202AA
- Максимальная мощность разрядки：1500 W
- Минимальная напряжение разрушения：77.9 V
- Максимальная напряжённость разрушения：86.1 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
