Изображение служит лишь для справки






MG25Q2YS9
-
Toshiba
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Артикул Производителя:MG25Q2YS9
- Код цикла жизни компонента:Obsolete
- Производитель IHS:TOSHIBA CORP
- Описание пакета:,
- Ранг риска:8.42
- Количество элементов:2
- РХОС:Non-Compliant
- Код соответствия REACH:unknown
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный ток коллектора (IC):25 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:1200 V
Со склада 0
Итого $0.00000