(0)
Изображение служит лишь для справки
JAN1N5822US
-
Microchip
-
Диоды - РЧ
- SQ-MELF, B
- Diode Schottky 40V 3A 2-Pin E-MELF Bag
Date Sheet
Lagernummer 37
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SQ-MELF, B
- Поставщик упаковки устройства：B, SQ-MELF
- Материал диодного элемента：SILICON
- Количество терминалов：2
- Артикул Производителя：JAN1N5822US
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Описание пакета：HERMETIC SEALED, D-5B, 2 PIN
- Ранг риска：5.35
- Количество элементов：1
- Материал корпуса пакета：GLASS
- Форма упаковки：ROUND
- Форма упаковки：LONG FORM
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Пакет：Bulk
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Серия：Military, MIL-PRF-19500/620
- Код JESD-609：e0
- Безоловая кодировка：No
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Применение：GENERAL PURPOSE
- Дополнительная Характеристика：METALLURGICALLY BONDED
- Код ТН ВЭД：8541.10.00.80
- Положение терминала：END
- Форма вывода：WRAP AROUND
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Число контактов：2
- Нормативная Марка：MIL-19500/620E
- Код JESD-30：O-LELF-R2
- Квалификационный Статус：Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Скорость：Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Тип диода：RECTIFIER DIODE
- Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If：500 mV @ 3 A
- Сокетная связка：ISOLATED
- Температура работы - переходная：-65°C ~ 150°C
- Выводная мощность-макс：3 A
- Максимальное обратное напряжение (Вр)：40 V
- Ток - Средний прямоугольный：3A
- Количество фаз：1
- Емкость @ Vr, Ф：-
- Максимальная прямая сила тока в пакете：80 A
- Пиковая обратная напряжение повторяемости：40
Со склада 37
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
