Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

JANTXV2N5665

Lagernummer 25

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Вид крепления:Through Hole
  • Корпус / Кейс:TO-213AA, TO-66-2
  • Поставщик упаковки устройства:TO-66 (TO-213AA)
  • Количество терминалов:2
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Артикул Производителя:JANTXV2N5665
  • Рохс Код:No
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Код упаковки компонента:TO-66
  • Описание пакета:TO-66, 2 PIN
  • Ранг риска:1.61
  • Количество элементов:1
  • Температура работы-Макс:200 °C
  • Материал корпуса пакета:METAL
  • Форма упаковки:ROUND
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Траниционный частотный предел (fT):20 MHz
  • Полярность транзистора:NPN
  • Пакет:Bulk
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):5 A
  • Основной номер продукта:2N5665
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Пакетная партия производителя:1
  • Бренд:Microchip / Microsemi
  • РХОС:N
  • Рабочая температура:-65°C ~ 200°C (TJ)
  • Серия:Military, MIL-PRF-19500/455
  • Пакетирование:Tray
  • Код JESD-609:e0
  • Безоловая кодировка:No
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
  • Код ТН ВЭД:8541.29.00.95
  • Технология:Si
  • Положение терминала:BOTTOM
  • Форма вывода:PIN/PEG
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:2
  • Нормативная Марка:MIL-19500/455E
  • Код JESD-30:O-MBFM-P2
  • Квалификационный Статус:Qualified
  • Конфигурация:SINGLE
  • Распад мощности:1.2
  • Сокетная связка:COLLECTOR
  • Мощность - Макс:2.5 W
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:NPN
  • Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
  • Тип транзистора:NPN
  • Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:25 @ 1A, 5V
  • Ток - отсечка коллектора (макс):200nA
  • Код JEDEC-95:TO-66
  • Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:1V @ 1A, 5A
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):300 V
  • Частота - Переход:-
  • Максимальная потеря мощности (абс.):30 W
  • Максимальный ток коллектора (IC):5 A
  • Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):25
  • Прямоходящий ток коллектора:5
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:300 V
  • Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT

Со склада 25

Итого $0.00000