Изображение служит лишь для справки






IDT7164L55DB
-
Renesas Electronics America
-
Интегральные схемы (ИС)
- -
- IC SRAM 64KBIT 55NS 28CDIP
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:28
- Артикул Производителя:IDT7164L55DB
- Рохс Код:No
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
- Код упаковки компонента:DIP
- Описание пакета:DIP, DIP28,.6
- Ранг риска:1.97
- Время доступа-максимум:55 ns
- Количество слов:8192 words
- Количество кодовых слов:8000
- Температура работы-Макс:125 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Код пакета:DIP
- Код эквивалентности пакета:DIP28,.6
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:IN-LINE
- Номинальное напряжение питания (Вн):5 V
- Максимальная температура рефлоу:20
- Уровень применения:Military grade
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:3A001.A.2.C
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД:8542.32.00.41
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C):240
- Количество функций:1
- Шаг выводов:2.54 mm
- Код соответствия REACH:not_compliant
- Число контактов:28
- Код JESD-30:R-CDIP-T28
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Напряжение питания максимальное (Vпит):5.5 V
- Блоки питания:5 V
- Градация температуры:MILITARY
- Напряжение питания минимальное (Vпит):4.5 V
- Количество портов:1
- Режим работы:ASYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи:0.125 mA
- Организация:8KX8
- Характеристики выдачи:3-STATE
- Максимальная высота посадки:5.08 mm
- Ширина памяти:8
- Ток ожидания-макс:0.0002 A
- Плотность памяти:65536 bit
- Уровень фильтрации:MIL-STD-883 Class B
- Параллельный/Серийный:PARALLEL
- Тип ввода/вывода:COMMON
- Тип микросхемы памяти:STANDARD SRAM
- Минимальная напряжение спящего режима:2 V
- Включение вывода:YES
- Длина:37.211 mm
- Ширина:15.24 mm
Со склада 0
Итого $0.00000