Изображение служит лишь для справки






FDMC86106Z
Lagernummer 119
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:5
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ранг риска:5.72
- Максимальный ток утечки (ID):7.5 A
- Количество элементов:1
- Температура работы-Макс:150 °C
- Минимальная температура работы:-55 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff):30 ns
- Время включения макс. (ton):20 ns
- Артикул Производителя:FDMC86106Z
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:ON SEMICONDUCTOR
- Описание пакета:WDFN-5
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Код соответствия REACH:compliant
- Код JESD-30:R-PDSO-F5
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID):7.5 A
- Сопротивление открытого канала-макс:0.103 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:15 A
- Минимальная напряжённость разрушения:100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):12 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):19 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):5 pF
Со склада 119
Итого $0.00000