(0)
Изображение служит лишь для справки
FDMC86106Z
Lagernummer 119
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ранг риска：5.72
- Максимальный ток утечки (ID)：7.5 A
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff)：30 ns
- Время включения макс. (ton)：20 ns
- Артикул Производителя：FDMC86106Z
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ON SEMICONDUCTOR
- Описание пакета：WDFN-5
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-F5
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：7.5 A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.103 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：15 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：12 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：19 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：5 pF
Со склада 119
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
