Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 119

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:5
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • Ранг риска:5.72
  • Максимальный ток утечки (ID):7.5 A
  • Количество элементов:1
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Минимальная температура работы:-55 °C
  • Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Время отключения макс. (toff):30 ns
  • Время включения макс. (ton):20 ns
  • Артикул Производителя:FDMC86106Z
  • Рохс Код:Yes
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:ON SEMICONDUCTOR
  • Описание пакета:WDFN-5
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:FLAT
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Код JESD-30:R-PDSO-F5
  • Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Сокетная связка:DRAIN
  • Применение транзистора:SWITCHING
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Максимальный сливовой ток (ID):7.5 A
  • Сопротивление открытого канала-макс:0.103 Ω
  • Максимальный импульсный ток вывода:15 A
  • Минимальная напряжённость разрушения:100 V
  • Рейтинг энергии лавины (Eas):12 mJ
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Максимальная потеря мощности (абс.):19 W
  • Обратная ёмкость-Макс (Crss):5 pF

Со склада 119

Итого $0.00000