(0)
Изображение служит лишь для справки
GS81313HD18GK-714I
-
GSI Technology
-
Память
- BGA-260
- SRAM
Date Sheet
Lagernummer 2458
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：BGA-260
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：260
- РХОС：Details
- Максимальная частота такта：714 MHz
- Интерфейс тип：Parallel
- Минимальная напряжение питания：1.2 V
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Максимальная рабочая температура：+ 100 C
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Типы памяти：DDR-III
- Чувствительный к влажности：Yes
- Пакетная партия производителя：10
- Торговое наименование：SigmaQuad-IIIe
- Максимальная напряжение питания：1.35 V
- Описание пакета：HBGA,
- Форма упаковки：GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
- Количество кодовых слов：8000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя：GS81313HD18GK-714I
- Количество слов：8388608 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.25 V
- Код пакета：HBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：GSI TECHNOLOGY
- Ранг риска：5.75
- Пакетирование：Tray
- Серия：GS81313HD18GK
- Код ECCN：3A991.B.2.B
- Тип：SigmaQuad-IIIe B4
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
- Технология：CMOS
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Количество функций：1
- Шаг выводов：1 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PBGA-B260
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.35 V
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.2 V
- Размер памяти：144 Mbit
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи：1.7 A
- Организация：8 M x 18
- Максимальная высота посадки：2.3 mm
- Ширина памяти：18
- Плотность памяти：150994944 bit
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип микросхемы памяти：DDR SRAM
- Ширина：14 mm
- Длина：22 mm
Со склада 2458
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
