(0)
Изображение служит лишь для справки
VRF3933
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- -
- RF MOSFET Transistors FG, MOSFET, RF, RoHS, M177
Date Sheet
Lagernummer 24
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Details
- Полярность транзистора：N-Channel
- Id - Непрерывный ток разряда：20 A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：260 V
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Минимальная прямая транконductанс：8 mS
- Распад мощности：648 W
- Пакетная партия производителя：1
- Усв：40 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.6 V
- Вес единицы：1.292085 oz
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Температура работы-Макс：200 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：VRF3933
- Форма упаковки：ROUND
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Not Recommended
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Ранг риска：8.44
- Максимальный ток утечки (ID)：20 A
- Тип：RF Power MOSFET
- Положение терминала：RADIAL
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：O-CRFM-F4
- Частота работы：30 MHz
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Выводная мощность：350 W
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Диапазон рабочей температуры：- 65 C to + 150 C
- Увеличение：28 dB
- Максимальный сливовой ток (ID)：20 A
- Минимальная напряжённость разрушения：250 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима：VERY HIGH FREQUENCY BAND
- Уголок мощности-минимум (Гп)：23 dB
Со склада 24
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
