APT84F50L

Name: Microchip Technology APT84F50L
Brand: Microchip Technology
Rating: 5 (18 reviews)

Microchip Technology
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-264-3
MOSFET FG, FREDFET, 500V, TO-264View in Development Tools Selector
Date Sheet

Lagernummer 23

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
Корпус / Кейс：TO-264-3
Вид крепления：Through Hole
Монтаж：Through Hole
Поверхностный монтаж：NO
Поставщик упаковки устройства：TO-264 [L]
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
РХОС：Details
Монтажные варианты：Through Hole
Полярность транзистора：N-Channel
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：500 V
Id - Непрерывный ток разряда：84 A
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：55 mOhms
Усв：- 30 V, + 30 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
Зарядная характеристика ворот：340 nC
Минимальная температура работы：- 55 C
Максимальная рабочая температура：+ 150 C
Распад мощности：1.135 kW
Режим канала：Enhancement
Минимальная прямая транконductанс：65 S
Пакетная партия производителя：1
Время задержки отключения типичного：155 ns
Время типичного задержки включения：60 ns
Вес единицы：0.352740 oz
Пакет：Tube
Основной номер продукта：APT84F50
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：84A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Mfr：Microchip Technology
Максимальная мощность рассеяния：1135W (Tc)
Состояние продукта：Active
Расписание В：8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
Количество элементов：1
Время отключения：155 ns
Описание пакета：TO-264, 3 PIN
Форма упаковки：FLANGE MOUNT
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Минимальная температура работы：-55 °C
Температура работы-Макс：150 °C
Рохс Код：Yes
Артикул Производителя：APT84F50L
Время включения макс. (ton)：60 ns
Форма упаковки：RECTANGULAR
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：MICROSEMI CORP
Время отключения макс. (toff)：155 ns
Ранг риска：1.52
Код упаковки компонента：TO-264AA
Максимальный ток утечки (ID)：84 A
Пакетирование：Tube
Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
Серия：POWER MOS 8™
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：Yes
Конечная обработка контакта：PURE MATTE TIN
Максимальная рабочая температура：150 °C
Минимальная температура работы：-55 °C
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：1.135 kW
Положение терминала：SINGLE
Форма вывода：THROUGH-HOLE
Код соответствия REACH：unknown
Число контактов：3
Код JESD-30：R-PSFM-T3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：Single
Каналов количество：1 Channel
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1.135 kW
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：60 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：65mOhm @ 42A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 2.5mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：13500 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：340 nC @ 10 V
Время подъема：70 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：500 V
Угол настройки (макс.)：±30V
Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
Тип транзистора：1 N-Channel
Непрерывный ток стока (ID)：84 A
Код JEDEC-95：TO-264AA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30 V
Максимальный сливовой ток (ID)：84 A
Сопротивление открытого канала-макс：0.065 Ω
Напряжение пробоя стока к истоку：500 V
Максимальный импульсный ток вывода：270 A
Входной ёмкости：13.5 nF
Минимальная напряжённость разрушения：500 V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：1845 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная потеря мощности (абс.)：1135 W
Максимальная температура перехода (Тj)：150 °C
Характеристика ТРП：-
Сопротивление стока к истоку：55 mΩ
Rds на макс.：65 mΩ
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：185 pF
Максимальная мощность dissipation окружающей среды：1135 W
Высота：29.18 mm
Корпусировка на излучение：No

Со склада 23

Итого $0.00000