(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные C3M0025065D
Изображение служит лишь для справки
C3M0025065D
-
Cree
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 464
- 1+： $17.14803
- 10+： $16.17739
- 100+： $15.26169
- 500+： $14.39782
- 1000+： $13.58285
Zwischensummenbetrag $17.14803
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Id - Непрерывный ток разряда：97 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：25 mOhms
- Усв：- 8 V, + 19 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.6 V
- Зарядная характеристика ворот：108 nC
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Распад мощности：326 W
- Режим канала：Enhancement
- Пакетная партия производителя：30
- Время задержки отключения типичного：27 ns
- Время типичного задержки включения：14 ns
- Вес единицы：0.211644 oz
- Пакетирование：Tube
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Время подъема：60 ns
Со склада 464
- 1+： $17.14803
- 10+： $16.17739
- 100+： $15.26169
- 500+： $14.39782
- 1000+： $13.58285
Итого $17.14803
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
