Изображение служит лишь для справки






HUM2010
-
Microchip Technology
-
Диоды - РЧ
- -
- PIN Diodes
Date Sheet
Lagernummer 45
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Материал диодного элемента:SILICON
- Количество терминалов:1
- РХОС:N
- Максимальная емкость диодной схемы:4 pF
- Максимальное последовательное сопротивление @ максимальный ПЧ:200 mOhms
- Ток прямого направления:500 mA
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Максимальная частота работы:0.5 GHz
- Срок службы носителя:30 us
- Обратный ток:10 uA
- Распад мощности:13 W
- Пакетная партия производителя:15
- Обратное напряжение:1000 V
- Форма упаковки:POST/STUD MOUNT
- Материал корпуса пакета:METAL
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:150 °C
- Рохс Код:No
- Артикул Производителя:HUM2010
- Форма упаковки:ROUND
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:MICROSEMI CORP
- Ранг риска:5.74
- Пакетирование:Reel
- Код JESD-609:e4
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Тип:High Power Pin Diodes
- Конечная обработка контакта:GOLD
- Применение:SWITCHING
- Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY, LOW DISTORTION
- Код ТН ВЭД:8541.10.00.80
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:O-MUPM-X1
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:Single
- Тип диода:PIN DIODE
- Сокетная связка:CATHODE
- Минимальная напряжение разрушения:1000 V
- Обратная тестовая напряжение:100 V
- Диод Капацитирующий-Ном:3.4 pF
- Максимальная емкость диода:4 pF
- Миноритарный носитель жизни-ном:30 µs
- Тестовый ток резистора диода:500 mA
- Частота проверки диодного сопротивления:4 MHz
- Диодная прямая сопротивление-Макс:0.2 Ω
- Вф - Напряжение прямого тока:0.85 V
Со склада 45
Итого $0.00000