Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

Lagernummer 45

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Материал диодного элемента:SILICON
  • Количество терминалов:1
  • РХОС:N
  • Максимальная емкость диодной схемы:4 pF
  • Максимальное последовательное сопротивление @ максимальный ПЧ:200 mOhms
  • Ток прямого направления:500 mA
  • Минимальная температура работы:- 55 C
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Максимальная частота работы:0.5 GHz
  • Срок службы носителя:30 us
  • Обратный ток:10 uA
  • Распад мощности:13 W
  • Пакетная партия производителя:15
  • Обратное напряжение:1000 V
  • Форма упаковки:POST/STUD MOUNT
  • Материал корпуса пакета:METAL
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:No
  • Артикул Производителя:HUM2010
  • Форма упаковки:ROUND
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Ранг риска:5.74
  • Пакетирование:Reel
  • Код JESD-609:e4
  • Безоловая кодировка:No
  • Код ECCN:EAR99
  • Тип:High Power Pin Diodes
  • Конечная обработка контакта:GOLD
  • Применение:SWITCHING
  • Дополнительная Характеристика:HIGH RELIABILITY, LOW DISTORTION
  • Код ТН ВЭД:8541.10.00.80
  • Положение терминала:UPPER
  • Форма вывода:UNSPECIFIED
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:unknown
  • Код JESD-30:O-MUPM-X1
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:Single
  • Тип диода:PIN DIODE
  • Сокетная связка:CATHODE
  • Минимальная напряжение разрушения:1000 V
  • Обратная тестовая напряжение:100 V
  • Диод Капацитирующий-Ном:3.4 pF
  • Максимальная емкость диода:4 pF
  • Миноритарный носитель жизни-ном:30 µs
  • Тестовый ток резистора диода:500 mA
  • Частота проверки диодного сопротивления:4 MHz
  • Диодная прямая сопротивление-Макс:0.2 Ω
  • Вф - Напряжение прямого тока:0.85 V

Со склада 45

Итого $0.00000