Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

D2225UK

Lagernummer 1000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:SOIC-8
  • Поверхностный монтаж:YES
  • Количество терминалов:8
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • РХОС:Details
  • Полярность транзистора:N-Channel
  • Id - Непрерывный ток разряда:4 A
  • Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:40 V
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Монтажные варианты:SMD/SMT
  • Распад мощности:17.5 W
  • Пакетная партия производителя:50
  • Усв:20 V
  • Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:0.5 V to 7 V
  • Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-XDSO-G8
  • Форма упаковки:SMALL OUTLINE
  • Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:200 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:D2225UK
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Количество элементов:2
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:SEMELAB LTD
  • Ранг риска:5.11
  • Код упаковки компонента:SOT
  • Максимальный ток утечки (ID):4 A
  • Код JESD-609:e4
  • Безоловая кодировка:No
  • Код ECCN:EAR99
  • Тип:RF Power MOSFET
  • Конечная обработка контакта:GOLD
  • Дополнительная Характеристика:LOW NOISE
  • Положение терминала:DUAL
  • Форма вывода:GULL WING
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:8
  • Код JESD-30:R-XDSO-G8
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Частота работы:1 GHz
  • Конфигурация:Dual
  • Режим работы:ENHANCEMENT MODE
  • Выводная мощность:5 W
  • Применение транзистора:AMPLIFIER
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Тип транзистора:DMOS FET
  • Увеличение:10 dB
  • Минимальная напряжённость разрушения:40 V
  • Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
  • Частотная полоса наивысшего режима:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND

Со склада 1000

Итого $0.00000