Изображение служит лишь для справки






D2225UK
-
Semelab
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - РЧ
- SOIC-8
- RF MOSFET Transistors Silicon DMOS RF FET 5W-12.5V-1GHz PP
Date Sheet
Lagernummer 1000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:SOIC-8
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- РХОС:Details
- Полярность транзистора:N-Channel
- Id - Непрерывный ток разряда:4 A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:40 V
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Распад мощности:17.5 W
- Пакетная партия производителя:50
- Усв:20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:0.5 V to 7 V
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-XDSO-G8
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:200 °C
- Рохс Код:Yes
- Артикул Производителя:D2225UK
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Количество элементов:2
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:SEMELAB LTD
- Ранг риска:5.11
- Код упаковки компонента:SOT
- Максимальный ток утечки (ID):4 A
- Код JESD-609:e4
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Тип:RF Power MOSFET
- Конечная обработка контакта:GOLD
- Дополнительная Характеристика:LOW NOISE
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Число контактов:8
- Код JESD-30:R-XDSO-G8
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Частота работы:1 GHz
- Конфигурация:Dual
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Выводная мощность:5 W
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Тип транзистора:DMOS FET
- Увеличение:10 dB
- Минимальная напряжённость разрушения:40 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
Со склада 1000
Итого $0.00000