(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMPB11ENX
Изображение служит лишь для справки
PMPB11ENX
-
Nexperia
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- DFN2020MD-6-8
- MOSFET PMPB11EN/SOT1220/SOT1220
Date Sheet
Lagernummer 50
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：DFN2020MD-6-8
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：DFN2020MD-6
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：30 V
- Id - Непрерывный ток разряда：13 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：14.5 mOhms
- Усв：- 20 V, + 20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2 V
- Зарядная характеристика ворот：13.7 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：12.5 W
- Режим канала：Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс：45 S
- Пакетная партия производителя：3000
- Время задержки отключения типичного：17 ns
- Время типичного задержки включения：9 ns
- Партийные обозначения：934066621184
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Основной номер продукта：PMPB11
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
- Mfr：Nexperia USA Inc.
- Максимальная мощность рассеяния：1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：MouseReel
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：14.5mOhm @ 9A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：840 pF @ 15 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20.6 nC @ 10 V
- Время подъема：10 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип транзистора：N-Channel Trench MOSFET
- Характеристика ТРП：-
Со склада 50
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
