(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные C3M0060065K
Изображение служит лишь для справки
C3M0060065K
-
Cree
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-4
- MOSFET SiC, MOSFET, 60 mOhm, 650V, TO-247-4, Industrial, Gen 3
Date Sheet
Lagernummer 101
- 1+： $14.57155
- 10+： $13.74675
- 100+： $12.96863
- 500+： $12.23456
- 1000+： $11.54203
Zwischensummenbetrag $14.57155
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-247-4
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：650 V
- Id - Непрерывный ток разряда：37 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：60 mOhms
- Усв：- 4 V, + 15 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3.6 V
- Зарядная характеристика ворот：46 nC
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Распад мощности：150 W
- Режим канала：Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс：10 S
- Пакетная партия производителя：30
- Время задержки отключения типичного：17 ns
- Время типичного задержки включения：8 ns
- Пакетирование：Tube
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Время подъема：11 ns
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Продукт：MOSFET
- Высота：23.6 mm
- Длина：16.13 mm
- Ширина：5.21 mm
Со склада 101
- 1+： $14.57155
- 10+： $13.74675
- 100+： $12.96863
- 500+： $12.23456
- 1000+： $11.54203
Итого $14.57155
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
