Изображение служит лишь для справки






2N5859
-
Central Semiconductor
-
Дискретные полупроводниковые
- -
- Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Описание пакета:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Форма упаковки:CYLINDRICAL
- Материал корпуса пакета:METAL
- Минимальная температура работы:-65 °C
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс:200 °C
- Рохс Код:No
- Траниционный частотный предел (fT):250 MHz
- Артикул Производителя:2N5859
- Время включения макс. (ton):35 ns
- Форма упаковки:ROUND
- Производитель:Central Semiconductor Corp
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
- Время отключения макс. (toff):60 ns
- Ранг риска:5.37
- Код упаковки компонента:TO-39
- Код JESD-609:e0
- Безоловая кодировка:No
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Tin/Lead (Sn/Pb)
- Код ТН ВЭД:8541.29.00.75
- Подкатегория:Other Transistors
- Положение терминала:BOTTOM
- Форма вывода:WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Число контактов:3
- Код JESD-30:O-MBCY-W3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:NPN
- Код JEDEC-95:TO-39
- Максимальная потеря мощности (абс.):5 W
- Максимальный ток коллектора (IC):2 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):10
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:40 V
- Максимальное напряжение на выходе:0.7 V
- Сопротивление базы-эмиттора макс:7 pF
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:1 W
Со склада 0
Итого $0.00000