(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BSZ520N15NS3GXT
Изображение служит лишь для справки
BSZ520N15NS3GXT
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TSDSON-8
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：26 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Прямоходящий ток вывода Id：21
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс：150 °C
- Артикул Производителя：BSZ520N15NS3GXT
- Форма упаковки：SQUARE
- Производитель：Infineon Technologies AG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Ранг риска：5.68
- Максимальный ток утечки (ID)：21 A
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：NO LEAD
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：S-PDSO-N5
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.052 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：84 A
- Минимальная напряжённость разрушения：150 V
- Канальный тип：N
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：60 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
