(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные IRFAE40
Изображение служит лишь для справки
IRFAE40
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 800V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：METAL
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Артикул Производителя：IRFAE40
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：International Rectifier
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER HIREL PRODUCTS LLC
- Ранг риска：7.55
- Код упаковки компонента：TO-3
- Максимальный ток утечки (ID)：4.8 A
- Безоловая кодировка：No
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：PIN/PEG
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：2
- Код JESD-30：O-MBFM-P2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-204AA
- Сопротивление открытого канала-макс：2.3 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：19 A
- Минимальная напряжённость разрушения：800 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：550 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
