(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные RJK0355DPA-01#J0B
Изображение служит лишь для справки
RJK0355DPA-01#J0B
-
Renesas Electronics America
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerWDFN
- RJK0355DPA-01#J0B
Date Sheet
Lagernummer 3033
- 1+： $0.91255
- 10+： $0.86089
- 100+： $0.81216
- 500+： $0.76619
- 1000+： $0.72282
Zwischensummenbetrag $0.91255
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerWDFN
- Поставщик упаковки устройства：8-WPAK
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：30A (Ta)
- Mfr：Renesas Electronics America Inc
- Максимальная мощность рассеяния：25W (Tc)
- Состояние продукта：Obsolete
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Серия：-
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：10.7mOhm @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：-
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：860 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6.3 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30 V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 3033
- 1+： $0.91255
- 10+： $0.86089
- 100+： $0.81216
- 500+： $0.76619
- 1000+： $0.72282
Итого $0.91255
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
