(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2N6788
Изображение служит лишь для справки
2N6788
-
Infineon
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,
Date Sheet
Lagernummer 4
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
- Форма упаковки：CYLINDRICAL
- Материал корпуса пакета：METAL
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：No
- Артикул Производителя：2N6788
- Форма упаковки：ROUND
- Производитель：TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：SEMELAB LTD
- Ранг риска：5.06
- Код упаковки компонента：BCY
- Максимальный ток утечки (ID)：6 A
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：WIRE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：2
- Код JESD-30：O-MBCY-W3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-205AF
- Сопротивление открытого канала-макс：0.345 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：24 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 4
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
