Изображение служит лишь для справки






2SC2713-GR(TE85L,F
-
Toshiba
-
Дискретные полупроводниковые
- SC-59-3
- Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
Date Sheet
Lagernummer 1164
- 1+: $0.09718
- 10+: $0.09168
- 100+: $0.08649
- 500+: $0.08160
- 1000+: $0.07698
Zwischensummenbetrag $0.09718
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:16 Weeks
- Корпус / Кейс:SC-59-3
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Полярность транзистора:NPN
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:5 V
- Распад мощности:150 mW
- Максимальная рабочая температура:+ 125 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:200
- Вес единицы:0.000423 oz
- Минимальная температура работы:-
- Пакетная партия производителя:3000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Параметр частотно-уровневого продукта fT:100 MHz
- Партийные обозначения:2SC2713-GR,LF
- Производитель:Toshiba
- Бренд:Toshiba
- Максимальный постоянный ток сбора:100 mA
- Максимальная коэффициент усиления постоянного тока hFE:700
- РХОС:Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:120 V
- Описание пакета:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Температура работы-Макс:125 °C
- Траниционный частотный предел (fT):100 MHz
- Артикул Производителя:2SC2713-GR(TE85L,F
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Количество элементов:1
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:TOSHIBA CORP
- Ранг риска:1.5
- Серия:2SC2713
- Пакетирование:MouseReel
- Дополнительная Характеристика:LOW NOISE
- Подкатегория:Transistors
- Технология:Si
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Конфигурация:Single
- Применение транзистора:AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
- Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО):120 V
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.15 W
- Максимальный ток коллектора (IC):0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):200
- Прямоходящий ток коллектора:100
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:120 V
- Максимальное напряжение на выходе:0.3 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды:0.15 W
- Категория продукта:Bipolar Transistors - BJT
Со склада 1164
- 1+: $0.09718
- 10+: $0.09168
- 100+: $0.08649
- 500+: $0.08160
- 1000+: $0.07698
Итого $0.09718