(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные FDM606P
Изображение служит лишь для справки
FDM606P
-
Fairchild Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICROFET-10
Date Sheet
Lagernummer 6000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Поставщик упаковки устройства：8-MLP, MicroFET (3x2)
- Пакет：Bulk
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6.8A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.8V, 4.5V
- Mfr：Fairchild Semiconductor
- Максимальная мощность рассеяния：1.92W (Ta)
- Состояние продукта：Obsolete
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：PowerTrench®
- Технология：MOSFET (Metal Oxide)
- Тип ТРВ：P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：30mOhm @ 6.8A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250µA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2200 pF @ 10 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：30 nC @ 4.5 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20 V
- Угол настройки (макс.)：±8V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 6000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
