(0)
Изображение служит лишь для справки
GS8673ET18BGK-500I
-
GSI Technology
-
Память
- BGA-260
- DDR SRAM, 4MX18, 0.4ns, CMOS, PBGA260, BGA-260
Date Sheet
Lagernummer 2744
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Корпус / Кейс：BGA-260
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：260
- Поставщикская упаковка：BGA
- Типовая рабочая напряжение питания：1.3500 V
- Минимальное напряжение питания в работе：1.25 V
- Тип таймера：Synchronous
- Количество линий ввода/вывода：18 Bit
- Максимальное напряжение питания：1.4 V
- Чувствительный к влажности：Yes
- Максимальная частота такта：500 MHz
- Максимальная рабочая температура：+ 100 C
- Максимальная напряжение питания：1.4 V
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Пакетная партия производителя：8
- Минимальная напряжение питания：1.25 V
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Интерфейс тип：Parallel
- Производитель：GSI Technology
- Бренд：GSI Technology
- Торговое наименование：SigmaDDR-IIIe
- РХОС：Details
- Типы памяти：DDR-III
- Описание пакета：HBGA,
- Форма упаковки：GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
- Количество кодовых слов：4000000
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Время доступа-максимум：0.4 ns
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：GS8673ET18BGK-500I
- Количество слов：4194304 words
- Номинальное напряжение питания (Вн)：1.3 V
- Код пакета：HBGA
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：GSI TECHNOLOGY
- Ранг риска：5.72
- Рабочая температура：-40 to 85 °C
- Серия：GS8673ET18BGK
- Пакетирование：Tray
- Код ECCN：3A991.B.2.B
- Тип：SigmaDDR-IIIe B2
- Дополнительная Характеристика：IT ALSO OPERATES AT 1.35 V TYPICAL VOLTAGE
- Код ТН ВЭД：8542.32.00.41
- Подкатегория：Memory & Data Storage
- Технология：CMOS
- Положение терминала：BOTTOM
- Форма вывода：BALL
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Количество функций：1
- Шаг выводов：1 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：260
- Код JESD-30：R-PBGA-B260
- Напряжение питания максимальное (Vпит)：1.4 V
- Напряжение питания минимальное (Vпит)：1.25 V
- Размер памяти：72 Mbit
- Режим работы：SYNCHRONOUS
- Максимальный ток подачи：1.38 A
- Время доступа：0.4
- Организация：4 M x 18
- Максимальная высота посадки：2.3 mm
- Ширина памяти：18
- Тип продукта：SRAM
- Плотность памяти：72
- Параллельный/Серийный：PARALLEL
- Тип микросхемы памяти：DDR SRAM
- Категория продукта：SRAM
- Ширина：14 mm
- Длина：22 mm
Со склада 2744
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
