(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные BLF6G10S-45,112
Изображение служит лишь для справки
BLF6G10S-45,112
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
- Форма упаковки：FLATPACK
- Материал корпуса пакета：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
- Код упаковки производителя：SOT608B
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：225 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：BLF6G10S-45,112
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：NXP Semiconductors
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：NXP SEMICONDUCTORS
- Ранг риска：5.83
- Код упаковки компонента：DFM
- Максимальный ток утечки (ID)：13 A
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.75
- Подкатегория：FET General Purpose Power
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：2
- Код JESD-30：R-CDFP-F2
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Название бренда：NXP Semiconductor
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный сливовой ток (ID)：13 A
- Минимальная напряжённость разрушения：65 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
