(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NX2301P
Изображение служит лишь для справки
NX2301P
-
Nexperia
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Date Sheet
Lagernummer 1228
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：30
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：NX2301P
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Производитель：Nexperia
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Описание Samacsys：Trench MOSFET,P channel 20V,2A SOT23 NXP NX2301P P-channel MOSFET Transistor, -2 A, 20 V, 3-Pin SOT23
- Производитель IHS：NEXPERIA
- Ранг риска：1.18
- Максимальный ток утечки (ID)：2 A
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Нормативная Марка：AEC-Q101; IEC-60134
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-236AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.27 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Со склада 1228
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
